GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性

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タイトル別名
  • Electromigration Hardness of Planer GaAs Schottky Barrier Diodes

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説明

マイクロ波・ミリ波の通信用デバイスとして使用されるGaAsプレーナ形ショットキーバリアダイオードは, 高周波特性を満足するためにアノード(ショットキー)配線は, 細線化を要求されている. このため入力されるRF電力によって発生する整流電流の電流密度は, 0.5μm幅ほどのアルミ配線において1×10^6A/cm^2以上にも及ぶ. そこで, このようなショットキーバリアダイオードにおけるエレクトロマイグレーションの電流密度及び温度加速性を評価した. この結果, 従来のAl配線より寿命が長いことを確認した. これは, 微細配線効果やマルチレイヤー構造を用いていることによると考えられる.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177467444352
  • NII論文ID
    110003301864
  • NII書誌ID
    AN10013243
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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