Growth Process of Polyhedral Oxide Precipitates in Czochralski Silicon Crystals Annealed at 1100℃

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  • CRID
    1573105977150726784
  • NII論文ID
    110003921551
  • NII書誌ID
    AA10650595
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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