著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
ADAN A. O. and 有村 公晴,POLY-Si MOS TFTの高電圧ストレス印加による効果,信学技法,,一般社団法人電子情報通信学会,1993,93,172,43-50,https://cir.nii.ac.jp/crid/1573387452256762112,