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High-efficiency 352 nm quaternary InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grwon on GaN substrates

書誌事項

タイトル
High-efficiency 352 nm quaternary InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes grwon on GaN substrates
著者
H.Hirayama

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詳細情報

  • CRID
    1010000781758161921
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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