【7/12更新】2022年4月1日からのCiNii ArticlesのCiNii Researchへの統合について

A High-Aspect Ratio Silicon Gate Formation Technique for Beam-Channel MOS Transistor with Impurity-Enhanced Oxidation

書誌事項

タイトル
A High-Aspect Ratio Silicon Gate Formation Technique for Beam-Channel MOS Transistor with Impurity-Enhanced Oxidation
著者
A.Katakami, K.Kobayashi, H.Sunami

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詳細情報

  • CRID
    1010000781779746439
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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