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Sidewall Protection by Nitrogen and Oxygen in Poly-Si_<1-x>Ge_x Anisotropic Etching Using Cl_2/N_2/O_2 Plasma

書誌事項

タイトル
Sidewall Protection by Nitrogen and Oxygen in Poly-Si_<1-x>Ge_x Anisotropic Etching Using Cl_2/N_2/O_2 Plasma
著者
H.-S.Cho et al.

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詳細情報

  • CRID
    1010000781801414914
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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