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Low-Temperature Activation of Ion Implanted Nano-Scale Dopant Layer for Ultra-Shallow Semiconductor Junction Formation by Nonequillibrium Phonon Excitation Processes

書誌事項

タイトル
Low-Temperature Activation of Ion Implanted Nano-Scale Dopant Layer for Ultra-Shallow Semiconductor Junction Formation by Nonequillibrium Phonon Excitation Processes
著者
Y.Setsuhara

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詳細情報

  • CRID
    1010000781805846660
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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