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Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage

書誌事項

タイトル
Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage
著者
T.Funaki, S.Matsuzaki, T.Kimoto, T.Hikihara

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詳細情報

  • CRID
    1010000781869884039
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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