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Growth of Very High Mobility AlGaSb/InAs HEMT Structure on Si Substrate for High-Speed Electronic Applications

書誌事項

タイトル
Growth of Very High Mobility AlGaSb/InAs HEMT Structure on Si Substrate for High-Speed Electronic Applications
著者
Y.C.Lin

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詳細情報

  • CRID
    1010000781870603807
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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