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Suppression of surface segregation of silicon dopants during molecular beam epitaxy of (411)A In_<0.75>Ga_<0.25>As/In_<0.52>Al_<0.48>As pseudomorphic high electron mobility transistor structures

書誌事項

タイトル
Suppression of surface segregation of silicon dopants during molecular beam epitaxy of (411)A In_<0.75>Ga_<0.25>As/In_<0.52>Al_<0.48>As pseudomorphic high electron mobility transistor structures
著者
H.Sagisaka

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詳細情報

  • CRID
    1010000781950887552
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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