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New Source Heterojunction Structures with Relaxed/Strainal Semiconductors for Quasi-Ballistic Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistors : Relaxation Technique of Strained Substrates and Design of Sub-10nm Devices

書誌事項

タイトル
New Source Heterojunction Structures with Relaxed/Strainal Semiconductors for Quasi-Ballistic Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistors : Relaxation Technique of Strained Substrates and Design of Sub-10nm Devices
著者
Tomohisa Mizuno, Naoki Mizoguchi, Kotaio Tanimoto, Tomoaki Yamauchi, Mitsuo Hasegawa, Toshiyuki Sameshima, Tsutomu Tezuka

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詳細情報

  • CRID
    1010000782026203520
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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