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Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures

書誌事項

タイトル
Electrons and holes in a 40nm thick silicon slab at cryogenic temperatures
著者
K. Takashina, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, T. Fujisawa, Y. Hirayama, K. Muraki

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詳細情報

  • CRID
    1010000782029559695
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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