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Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayerfor High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron Cyclotron Resonance Plasma Techniques

書誌事項

タイトル
Low-Temperature Formation of High-Quality GeO_2 Interlayerfor High-k Gate Dielectrics/Ge by Electron Cyclotron Resonance Plasma Techniques
著者
Y.Fukuda, Y.Yazaki, Y.Otani, T.Sato, H.Toyota, T.Ono

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詳細情報

  • CRID
    1010000782045180929
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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