【2022年1月締切】CiNii ArticlesへのCiNii Researchへの統合に伴う機関認証の移行確認について

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Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Ion Implantation Induced Relaxation Technique of Strained-Substrates

書誌事項

タイトル
Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Ion Implantation Induced Relaxation Technique of Strained-Substrates
著者
T. Mizuno, N. Mizoguchi, K. Tanimoto, T. Yamauchi, T. Tezuka, and T. Sameshima

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詳細情報

  • CRID
    1010000782081492992
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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