【7/12更新】2022年4月1日からのCiNii ArticlesのCiNii Researchへの統合について

Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (1-101) semi-polar GaN

書誌事項

タイトル
Partial strain relaxation by stacking fault generation in InGaN multiple quantum wells grown on (1-101) semi-polar GaN
著者
Z.H.Wu

収録刊行物

被引用文献 (0)

もっと見る

参考文献 (0)

もっと見る

関連論文

もっと見る

関連研究データ

もっと見る

関連図書・雑誌

もっと見る

関連博士論文

もっと見る

関連プロジェクト

もっと見る

関連その他成果物

もっと見る

詳細情報

  • CRID
    1010000782110331677
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
ページトップへ