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Strain compensation for InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled double quantum wells by controlling the barrier-layer composition

書誌事項

タイトル
Strain compensation for InGaAs-AlAs-AlAsSb coupled double quantum wells by controlling the barrier-layer composition
著者
M. Nagase, T. Mozume, T. Simoyama, T. Hasama, and H. Ishikawa

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詳細情報

  • CRID
    1010000782430875145
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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