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Heavy B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma CVD

書誌事項

タイトル
Heavy B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth on Si(100) Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma CVD
著者
T. Nosaka、M. Sakuraba、B. Tillack, J. Murota

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詳細情報

  • CRID
    1010000782440595329
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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