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Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)

書誌事項

タイトル
Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes with Nanometer Order Heterostructures of Si/Strained Si1-xGex Epitaxially Grown on Si(100) (Invited Paper)
著者
M. Sakuraba、R. Ito、T. Seo, J. Murota

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詳細情報

  • CRID
    1010000782440595456
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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