CiNii Researchの本公開について

Strained-Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors formed on very thin SiGe relaxed layer fabricated by ion implantation technique

書誌事項

タイトル
Strained-Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors formed on very thin SiGe relaxed layer fabricated by ion implantation technique
著者
K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, Y. Shiraki, J. Yamanaka, K. Nakagawa

収録刊行物

被引用文献 (0)

もっと見る

参考文献 (0)

もっと見る

関連論文

もっと見る

関連研究データ

もっと見る

関連図書・雑誌

もっと見る

関連博士論文

もっと見る

関連プロジェクト

もっと見る

関連その他成果物

もっと見る

詳細情報

  • CRID
    1010000782485432983
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
ページトップへ