【7/12更新】2022年4月1日からのCiNii ArticlesのCiNii Researchへの統合について

Lateral 4H-SiC MOSFETs with Low On-Resistance by Using Two-Zone Double RESURF Structure

書誌事項

タイトル
Lateral 4H-SiC MOSFETs with Low On-Resistance by Using Two-Zone Double RESURF Structure
著者
M.Noborio, J.Suda, and T.Kimoto

収録刊行物

関連論文

もっと見る

関連研究データ

もっと見る

関連図書・雑誌

もっと見る

関連博士論文

もっと見る

関連プロジェクト

もっと見る

関連その他成果物

もっと見る

詳細情報

  • CRID
    1010282256613831829
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
ページトップへ