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Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC(001) by molecular beam epitaxy

書誌事項

タイトル
Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC(001) by molecular beam epitaxy
著者
H.Yaguchi, Y.Kitamura, K.Nishida, Y.Iwahashi, Y.Hijikata, S.Yoshida

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詳細情報

  • CRID
    1010282256927594503
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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