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Mechanisms of unexpected reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200 keV electron irradiation

書誌事項

タイトル
Mechanisms of unexpected reduction in hole concentration in Al-doped 4H-SiC by 200 keV electron irradiation
著者
H.Matsuura, N.Minohara, and T.Ohshima

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詳細情報

  • CRID
    1010282256958717315
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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