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Growth of GaN single crystals with extremely low dislocat ion density by two-step dislocation reduction.

書誌事項

タイトル
Growth of GaN single crystals with extremely low dislocat ion density by two-step dislocation reduction.
著者
F. Kawamura, et al.

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詳細情報

  • CRID
    1010282257011850393
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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