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ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性

書誌事項

タイトル
ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの比誘電率と界面特性
著者
樹神 真太郎、徳田 博邦、葛原 正明

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詳細情報

  • CRID
    1010282257231882123
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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