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Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut angle toward a-sapphire plane

書誌事項

タイトル
Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut angle toward a-sapphire plane
著者
K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka

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詳細情報

  • CRID
    1010282257415359362
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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