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Weak carrier/exciton localization in InGaN quantum wells for green laser diodes fabricated on semi-polar {20-21} GaN substrates

書誌事項

タイトル
Weak carrier/exciton localization in InGaN quantum wells for green laser diodes fabricated on semi-polar {20-21} GaN substrates
著者
M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, Y. Enya, K. Nishizuka, M. Ueno, T. Nakamura

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詳細情報

  • CRID
    1010282257438166785
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN
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