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Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics, IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding

書誌事項

タイトル
"Charge Trapping by Oxygen-Related Defects in HfO_2-based High-k Gate Dielectrics, IEEE 2005 Int.Reliability Physics Symposium Proceeding"
著者
K.Yamabe, M.Goto, K.Higuchi, A.Uedono, K.Shiraishi, S.Miyazaki, K.Torii, M.Boero, T.Chikyow, S.Yamasaki, H.Kitajima, K.Yamada, T.Arikado

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詳細情報

  • CRID
    1020282256851291011
  • タイトル言語コード
    ja
  • データソース種別
    • KAKEN
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