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PLD法および気相硫化によるZn-O-S薄膜の作製と評価

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タイトル別名
  • Fromation of ZnS film by PLD and Gas Phase Sulfurization

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抄録

type:紀要類 (bulletin)

Formation of Zn-O-S film by the PLD method and gas phase sulfurization was examined. First, the ZnO film with the thickness of 0.01μm order was obtained by the irradiation of Nd: YAG pulsed laser light with 400mJ for 6 second. The ZnO film was found to have the orientated structure with the 001 direction. Then the laser-ablated ZnO film was sulfurized in a flow of H_2S gas. The Zn-O-S film found to be the mixed structure of ZnO and ZnS at 573K, while the single phase of ZnS was obtained at 773K. From the UV-vis spectra, the 573K film showed a significant absorption in visible light region compared with the ZnO and ZnS bulks and films. The photo dissolution behavior was also observed for the Zn-O-S film in an aqueous system under the UV light irradiation.

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