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Si(001)微斜面での通電加熱時のステップ束の形成と成長則 : 結晶成長理論Ⅰ

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  • Growth law of step bunches in current-induced step bunching on a Si(001) vicinal face

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抄録

金沢大学総合メディア基盤センター

With a Si(001) vicinal face in mind, we study step bunching induced by drift of adatoms taking account of the alternation of anisotropic diffusion coefficient. The step bunching occurs irrespective of the drift direction. We perform simulation of a one-dimensional step flow model and analyze growth law of the bunch size and size dependence of the step distance in a bunch.

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