Single-electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
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- 藤原 聡
- 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
書誌事項
- タイトル
- Single-electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
- 著者
- Akira Fujiwara
収録刊行物
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- Applied Physics Letters Vol.88,No.5
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Applied Physics Letters Vol.88,No.5 2005