Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation

書誌事項

タイトル
Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation
著者
H.Ohyama et al.

収録刊行物

関連プロジェクト

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1010000781940908298
  • 資料種別
    journal article
  • データソース種別
    • KAKEN

問題の指摘

ページトップへ