回転角制御モアレ積層系2層グラフェンの作製と物性評価
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- 田中 悟
- 研究代表者
- 九州大学
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- 神田 晶申
- 研究分担者/共同研究者
- 筑波大学
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- 小森 文夫
- 研究分担者/共同研究者
- 東京工業大学
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- Anton V.Visikovs
- 研究分担者/共同研究者
- 九州大学
研究課題情報
- 体系的番号
- JP19H02602
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
- 研究課題/領域番号
- 19H02602
- 研究種目
- 基盤研究(B)
- 配分区分
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- 補助金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
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- 九州大学
- 研究期間 (年度)
- 2019-04-01 〜 2022-03-31
- 研究課題ステータス
- 完了
- 配分額*注記
- 17,420,000 円 (直接経費: 13,400,000 円 間接経費: 4,020,000 円)
研究概要
互いに面内回転したグラフェンを2層重ねると，新しい結晶概念であるモアレ系結晶となる．本研究では，SiC基板上に剥離が容易なグラフェンがエピタキシャル成長する「新CVD法」をベースとした新しい剥離・転写手法を用いて，回転角を自在に制御した大面積モアレ積層系グラフェンを作製し，それらの電子物性とキャリア輸送特性を検証・探索する．