過冷却状態の液晶相を利用した室温塗布プロセスによる高品質な有機トランジスタの開発
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- 飯野 裕明
- 研究代表者
- 東京工業大学
研究課題情報
- 体系的番号
- JP24750178 (JGN)
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
科研費情報
- 研究課題/領域番号
- 24750178
- 研究種目
- 若手研究(B)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 理工系 > 化学 > 材料化学 > 機能材料・デバイス
- 研究機関
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- 東京工業大学
- 研究期間 (年度)
- 2012-04-01 〜 2015-03-31
- 研究課題ステータス
- 完了
- 配分額*注記
- 4,810,000 円 (直接経費: 3,700,000 円 間接経費: 1,110,000 円)
研究概要
均一な結晶製膜が溶液プロセスで製膜でき、高耐熱性を有する有機トランジスタ材料として、過冷却液晶相を発現する有機半導体材料に注目した。本研究で見いだされた有機半導体は室温において過冷却液晶相を発現する事で、平坦性に優れた液晶薄膜を前駆状態とすることで均一な結晶薄膜が製膜でき、120度5分間の熱アニールを加えると多結晶薄膜にもかかわらず10cm2/Vsを超す高移動度を示す有機トランジスタが実現できた。さらに、相転移温度の非対称性により140度までの熱ストレスに対して移動度は変化せず、溶液プロセス適合性と高耐熱性、さらには高移動度を備え持つ高品質なトランジスタ材料の実現に成功した。