ホウ素と磁性金属界面の作製とその偏極光電子によるスピン伝導測定

KAKEN

About This Project

Japan Grant Number
JP22K04928 (JGN)
Funding Program
Grants-in-Aid for Scientific Research
Funding Organization
Japan Society for the Promotion of Science

Kakenhi Information

Project/Area Number
22K04928
Research Category
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type
  • Multi-year Fund
Review Section / Research Field
  • Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution
  • Kyushu University
Project Period (FY)
2022-04-01 〜 2025-03-31
Project Status
Granted
Budget Amount*help
4,160,000 Yen (Direct Cost: 3,200,000 Yen Indirect Cost: 960,000 Yen)

Research Abstract

二次元原子層の高い電子移動度と強磁性薄膜のスピン偏極を組み合わせたデバイスは次世 代電子材料の有力候補である。グラフェンを用いた研究が多くなされているが、本研究ではホウ素薄膜をニッケルなどの強磁性薄膜上に作製し、その電子スピンに依存した電気伝導を光電子分光法により明らかにする。

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