ホウ素と磁性金属界面の作製とその偏極光電子によるスピン伝導測定
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- 中川 剛志
- 研究代表者
- 九州大学
研究課題情報
- 体系的番号
- JP22K04928
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
- 研究課題/領域番号
- 22K04928
- 研究種目
- 基盤研究(C)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
- 研究機関
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- 九州大学
- 研究期間 (年度)
- 2022-04-01 〜 2025-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 4,160,000 円 (直接経費: 3,200,000 円 間接経費: 960,000 円)
研究概要
二次元原子層の高い電子移動度と強磁性薄膜のスピン偏極を組み合わせたデバイスは次世 代電子材料の有力候補である。グラフェンを用いた研究が多くなされているが、本研究ではホウ素薄膜をニッケルなどの強磁性薄膜上に作製し、その電子スピンに依存した電気伝導を光電子分光法により明らかにする。
