ホウ素と磁性金属界面の作製とその偏極光電子によるスピン伝導測定
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- 中川 剛志
- Principal Investigator
- 九州大学
About this project
- Japan Grant Number
- JP22K04928
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding organization
- Japan Society for the Promotion of Science
- Project/Area Number
- 22K04928
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Allocation Type
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- Multi-year Fund
- Review Section / Research Field
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- Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
- Research Institution
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- Kyushu University
- Project Period (FY)
- 2022-04-01 〜 2025-03-31
- Project Status
- Granted
- Budget Amount*help
- 4,160,000 Yen (Direct Cost: 3,200,000 Yen Indirect Cost: 960,000 Yen)
Research Abstract
二次元原子層の高い電子移動度と強磁性薄膜のスピン偏極を組み合わせたデバイスは次世 代電子材料の有力候補である。グラフェンを用いた研究が多くなされているが、本研究ではホウ素薄膜をニッケルなどの強磁性薄膜上に作製し、その電子スピンに依存した電気伝導を光電子分光法により明らかにする。
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1040010457589264512
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- KAKEN
- IRDB