電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価
研究課題情報
- 体系的番号
- JP23K23083
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
- 研究課題/領域番号
- 23K23083
- 研究種目
- 基盤研究(B)
- 配分区分
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- 基金
- 補助金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分26040:構造材料および機能材料関連
- 研究機関
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- 滋賀県立大学
- 研究期間 (年度)
- 2022-04-01 〜 2025-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 18,070,000 円 (直接経費: 13,900,000 円 間接経費: 4,170,000 円)
研究概要
アモルファスGeSn薄膜を出発材料とし，室温で，数keV級の極めて低いエネルギーの電子ビームを照射する「非加熱方式」により，瞬間的かつ広域な結晶成長を促す．本研究では，(1)この手法の有効性を実証し，(2)瞬間結晶化（爆発的結晶化）が生じる構造的要因を明らかにし，そして，(3)得られた結晶膜の電気特性を評価する．最終年度の今年度には(3)の研究を行う．前半期にはガラスおよびポリマー基板上の薄膜において，3-10 keVの電子ビームを照射した場合に，爆発的結晶化が起こる薄膜の膜厚とエネルギー範囲の対応関係を解明する．後半期には電気特性の評価を実施する計画である．
