高圧相変態を利用した新奇SiGeSn混晶の創製と環境親和型素子への展開
研究課題情報
- 体系的番号
- JP24K21691
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
- 研究課題/領域番号
- 24K21691
- 研究種目
- 挑戦的研究(萌芽)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 中区分26:材料工学およびその関連分野
- 研究機関
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- 九州大学
- 研究期間 (年度)
- 2024-06-28 〜 2027-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 6,370,000 円 (直接経費: 4,900,000 円 間接経費: 1,470,000 円)
研究概要
近年のIoTやウェアラブル端末等の発展に伴い、高効率発受光素子や室温付近での熱電素子の需要が高まっている。本研究では、室温での金属材料の合金化が可能なHigh-Pressure Torsion (HPT)法を用い、①高Sn濃度GeSn、SiSn混晶半導体、②中エントロピーSiGeSn、③SiGeSn混晶準安定相の形成に挑戦する。本研究で新奇SiGeSn混晶半導体を創製し、環境親和型素子開発を目指す。
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1040300755870527232
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- KAKEN