Diode-rectified AC arc source for diatomite-derived porous silicon formation
About this project
- Japan Grant Number
- JP22K03587
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding organization
- Japan Society for the Promotion of Science
- Project/Area Number
- 22K03587
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Allocation Type
-
- Multi-year Fund
- Review Section / Research Field
-
- Basic Section 14030:Applied plasma science-related
- Research Institution
-
- Kyushu University
- Project Period (FY)
- 2022-04-01 〜 2025-03-31
- Project Status
- Granted
- Budget Amount*help
- 4,160,000 Yen (Direct Cost: 3,200,000 Yen Indirect Cost: 960,000 Yen)
Research Abstract
ダイオード整流多電極アーク源を用いた平板状（プレーナー）熱プラズマ流を発生・制御し，還元性ラジカルを高速照射することで，珪藻土由来のポーラスSiの大量合成手法確立を目指す．周波数変調交流を基としたダイオード整流多電極アーク源を開発し，プレーナー熱プラズマ流を生成・制御することで，再結合による活性ラジカルの不活化を抑制し，低温基板への超高速ラジカル照射を達成する．変調周波数に対応可能な高速度可視化システムを用いた(i)プラズマ物理量（温度，ラジカル濃度）の精密計測．(ii)流れ場の可視化に加えて，(iii)数値流体解析を併用することで，新規なプラズマ流の理解・制御を行なう．