バイタルセンシングを志向したニューロモルフィック電子強誘電体ゲートFETの開発

研究課題情報

体系的番号
JP22KJ2626 (JGN)
助成事業
科学研究費助成事業
資金配分機関情報
日本学術振興会(JSPS)

科研費情報

研究課題/領域番号
22KJ2626
研究種目
特別研究員奨励費
配分区分
  • 基金
  • 補助金
審査区分/研究分野
  • 小区分26020:無機材料および物性関連
研究機関
  • 大阪公立大学
研究期間 (年度)
2023-03-08 〜 2025-03-31
研究課題ステータス
交付
配分額*注記
2,500,000 円 (直接経費: 2,500,000 円 間接経費: 0 円)

研究概要

人体から放射される脳波や、DNA・タンパク質などの生体高分子の骨格振動から放射されるTHz帯の微弱な電磁波信号を検出し、生体の活力や老いに関する情報を活用するwell beingなバイタルセンサーの創成が期待されている。強誘電体の特徴である巨大な自発分極を、電子の偏った分布によって発現する電子強誘電体YbFe2O4薄膜は、Siの数百~数千倍にも及ぶTHz帯の光吸収係数を有することから、当該電磁波の照射による超高速の分極変化によって、ゲート電界をかけずにトランジスタ動作を実現できると考えられる。本研究期間において、この電子強誘電体をゲート材料に用いたFET構造THz電磁波センサーの作製を目指す。

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