Investigation of orbital symmetry effect in spin-orbit torque and development for energy-efficient and high-density spin memory devices

About This Project

Japan Grant Number
JP24H00030 (JGN)
Funding Program
Grants-in-Aid for Scientific Research
Funding Organization
Japan Society for the Promotion of Science

Kakenhi Information

Project/Area Number
24H00030
Research Category
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Allocation Type
  • Single-year Grants
Review Section / Research Field
  • Broad Section C
Research Institution
  • Tohoku University
Project Period (FY)
2024-04-01 〜 2029-03-31
Project Status
Granted
Budget Amount*help
197,340,000 Yen (Direct Cost: 151,800,000 Yen Indirect Cost: 45,540,000 Yen)

Research Abstract

本研究では、理想的な低消費電力・高速・大容量スピンメモリデバイスの創製に挑戦する。ここでは、スピンホール電極構造、軌道ラシュバ電極構造、電極材料の結晶構造、結晶配向性、比抵抗、スピン拡散長、軌道拡散長などの因子と、スピンホール効果および軌道ラシュバ効果の大きさとの相関を調べてスピン伝導メカニズムの解明を行い、低消費電力化技術を構築する。更に、大容量化を図るために、垂直磁化方式スピントンネル接合の無磁場反転技術および軌道ラシュバ効果の電圧制御技術を構築する。これらを統合することで、理想的なスピンメモリデバイスを創製する。本研究を通し、半導体・知的デバイスの低消費電力化に貢献する。

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