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Investigation of orbital symmetry effect in spin-orbit torque and development for energy-efficient and high-density spin memory devices
About This Project
- Japan Grant Number
- JP24H00030 (JGN)
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding Organization
- Japan Society for the Promotion of Science
Kakenhi Information
- Project/Area Number
- 24H00030
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- Allocation Type
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- Single-year Grants
- Review Section / Research Field
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- Broad Section C
- Research Institution
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- Tohoku University
- Project Period (FY)
- 2024-04-01 〜 2029-03-31
- Project Status
- Granted
- Budget Amount*help
- 197,340,000 Yen (Direct Cost: 151,800,000 Yen Indirect Cost: 45,540,000 Yen)
Research Abstract
本研究では、理想的な低消費電力・高速・大容量スピンメモリデバイスの創製に挑戦する。ここでは、スピンホール電極構造、軌道ラシュバ電極構造、電極材料の結晶構造、結晶配向性、比抵抗、スピン拡散長、軌道拡散長などの因子と、スピンホール効果および軌道ラシュバ効果の大きさとの相関を調べてスピン伝導メカニズムの解明を行い、低消費電力化技術を構築する。更に、大容量化を図るために、垂直磁化方式スピントンネル接合の無磁場反転技術および軌道ラシュバ効果の電圧制御技術を構築する。これらを統合することで、理想的なスピンメモリデバイスを創製する。本研究を通し、半導体・知的デバイスの低消費電力化に貢献する。
Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1040581224878839808
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- KAKEN