シリコンスピントランジスタの高性能化に関する研究
-
- 山下 尚人
- Principal Investigator
- 九州大学
About this project
- Japan Grant Number
- JP20J22776
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding organization
- Japan Society for the Promotion of Science
- Project/Area Number
- 20J22776
- Research Category
- Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- Allocation Type
-
- Single-year Grants
- Review Section / Research Field
-
- Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
- Research Institution
-
- Kyushu University
- Kyoto University
- Project Period (FY)
- 2020-04-24 〜 2023-03-31
- Project Status
- Completed
- Budget Amount*help
- 3,100,000 Yen (Direct Cost: 3,100,000 Yen Indirect Cost: 0 Yen)
Research Abstract
半導体集積回路の発熱問題、消費電力問題を解決するスピントランジスタの実現に向け、エネルギー効率の良いスピン流生成方法を開発する。半導体シリコンを用いたスピントランジスタは室温動作実証されたが、エネルギー効率が低い点が課題となっている。半導体で生じるの熱を活用する等、新たな指針に基づいたのスピン流生成方法について調査し、低消費電力スピントランジスタの実現に向けて材料開発と作製方法の検討を行う。
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1040848250651132288
-
- Text Lang
- ja
-
- Data Source
-
- KAKEN
- IRDB