Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
研究課題情報
- 体系的番号
- JP23K03927
- 助成事業
- 科学研究費助成事業
- 資金配分機関情報
- 日本学術振興会(JSPS)
- 研究課題/領域番号
- 23K03927
- 研究種目
- 基盤研究(C)
- 配分区分
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- 基金
- 審査区分/研究分野
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- 小区分21050:電気電子材料工学関連
- 研究機関
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- 九州大学
- 研究期間 (年度)
- 2023-04-01 〜 2026-03-31
- 研究課題ステータス
- 交付
- 配分額*注記
- 4,680,000 円 (直接経費: 3,600,000 円 間接経費: 1,080,000 円)
研究概要
近赤外測定技術をIoT社会の中で活用するには、低消費電力、コンパクトな近赤外光源が必要である。本研究では、金属－絶縁体－半導体（MIS）構造を用いて、絶縁膜/Ge界面の特性を制御し、界面からの運動量獲得現象を明確化して、間接遷移発光の効率向上機構を解明する。それを基に、絶縁膜材料の適正化によりキャリアのトンネリング障壁高さを制御し、Ge-MIS構造の間接遷移発光効率を最適化する。更に、Ge-on-Insulator基板上に素子を作製し、空間的なキャリア閉じ込め効果を利用して発光強度の増強を図る。最終的に、現状の10倍以上の発光強度を持つ近赤外発光素子を試作する。