中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発
About this project
- Japan Grant Number
- JP24K07576
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding organization
- Japan Society for the Promotion of Science
- Project/Area Number
- 24K07576
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- Allocation Type
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- Multi-year Fund
- Review Section / Research Field
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- Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
- Research Institution
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- Kyushu University
- Project Period (FY)
- 2024-04-01 〜 2027-03-31
- Project Status
- Granted
- Budget Amount*help
- 4,550,000 Yen (Direct Cost: 3,500,000 Yen Indirect Cost: 1,050,000 Yen)
Research Abstract
本研究では、AI技術の進展とカーボンニュートラルとを両立するために、半導体の高性能化と低消費電力化に向けた電子・光デバイスの「異種機能集積化」を目指す。その材料候補として、優れた物性を有するゲルマニウム（Ge）を用いる。Geの特徴を最大限に発揮させるために、単結晶薄膜Geが支持基板上に配置されたGe-on-Insulator（GOI）を独自の中空Ge構造に基づく手法で作製・高品質化する。代表者らのGeプロセス技術・評価技術をGOI作製に拡張するとともに、新たに高品質下地絶縁膜技術を開発してGOIの性能を改善する。最終的に、GOI上に電子・光デバイスを作製して異種機能集積デバイス実現の道を拓く。
Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1040862699862417408
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- KAKEN
