ヘテロ接合型薄膜デバイスへの応用に向けた酸化インジウム化合物のバンド構造制御
About this project
- Japan Grant Number
- JP24K01585
- Funding Program
- Grants-in-Aid for Scientific Research
- Funding organization
- Japan Society for the Promotion of Science
- Project/Area Number
- 24K01585
- Research Category
- Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- Allocation Type
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- Multi-year Fund
- Review Section / Research Field
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- Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
- Research Institution
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- Kobe University
- Project Period (FY)
- 2024-04-01 〜 2028-03-31
- Project Status
- Granted
- Budget Amount*help
- 18,590,000 Yen (Direct Cost: 14,300,000 Yen Indirect Cost: 4,290,000 Yen)
Research Abstract
酸化物半導体である InGaZnO をチャネル層とする薄膜トランジスタはディスプレイでの実用化が進んでいる。最近では，集積回路の配線層に InGaZnO からなる不揮発性メモリを組み込む検討がなされている。さらに，高電子移動度トランジスタや共鳴トンネルダイオードを配線層に組み込めれば，集積回路に新たな機能も持たせることができる。そこで，本研究課題では，InGaZnO を中心に４元系酸化物半導体について，バンド構造，特にフェルミ準位の組成比及び不純物密度に対する依存性を明らかにする。さらに，得られたバンド構造を基に，ヘテロ接合デバイスの設計を行い，その動作実証を行う。
Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1040862776835879424
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- KAKEN
