Si(100)の準安定構造c(4×4)
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- Other Title
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- Si 100 ノ ジュンアンテイ コウゾウ c 4×4
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Description
Si（001）表面は高温度領域（550°C － 670°C）で超格子構造c（4×4）が現れる。低速電子線回折スポット強度の入射エネルギーおよび温度依存性を求めて、超格子構造の現れる過程を調べた。（00）の回折ビームのプロフィールから表面層の原子の配列が変化して行く過程を、（1/2,0）（0,1/2）の回折ビームの強度から、二つのドメイン構造（2×1）の境界にあるステップS_Bからc（4×4）構造は出現することを明らかにした。
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KJ00005554079
P
研究論文
Paper
Journal
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- The bulletin of the Research Institute of Advanced Technology Kyoto Sangyo University
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The bulletin of the Research Institute of Advanced Technology Kyoto Sangyo University 8 15-25, 2009-07
[京都] : 京都産業大学先端科学技術研究所 ; 2002-2020
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1050001337825715840
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- NII Article ID
- 110007196941
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- NII Book ID
- AA11815191
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- HANDLE
- 10965/00002588
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- NDL BIB ID
- 10425811
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- ISSN
- 13473980
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- Text Lang
- ja
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- Article Type
- departmental bulletin paper
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- Data Source
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- IRDB
- NDL Search
- CiNii Articles
