Si(100)の準安定構造c(4×4)

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  • Si 100 ノ ジュンアンテイ コウゾウ c 4×4

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Si(001)表面は高温度領域(550°C - 670°C)で超格子構造c(4×4)が現れる。低速電子線回折スポット強度の入射エネルギーおよび温度依存性を求めて、超格子構造の現れる過程を調べた。(00)の回折ビームのプロフィールから表面層の原子の配列が変化して行く過程を、(1/2,0)(0,1/2)の回折ビームの強度から、二つのドメイン構造(2×1)の境界にあるステップS_Bからc(4×4)構造は出現することを明らかにした。

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KJ00005554079

P

研究論文

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