ワイドギャップ半導体β-Ga2O3の遷移金属添加効果
書誌事項
- タイトル別名
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- Effect of the transition-metal ions on wide-gap semiconductor β-Ga2O3
収録刊行物
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- 千歳科学技術大学フォトニクス研究所紀要
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千歳科学技術大学フォトニクス研究所紀要 1 (1), 12-, 2011-03-01
千歳科学技術大学
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050001338380208256
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- departmental bulletin paper
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- データソース種別
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- IRDB