Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits
Bibliographic Information
- Other Title
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- SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討
- SiO2ヒカリ ドウハロ ト GaAs ジュコウ ソシ ノ ブンプ ケツゴウ
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Abstract
記事分類: 電気工学--電子工学--集積回路 ; 電気工学--電気理論・電気回路
Journal
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- Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
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Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University 117 39-48, 1984-01-31
北海道大学
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1050001339004514048
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- NII Article ID
- 120001758663
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- NII Book ID
- AN00230223
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- HANDLE
- 2115/41829
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- NDL BIB ID
- 2971792
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- ISSN
- 0385602X
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- Text Lang
- ja
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- Article Type
- departmental bulletin paper
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- Data Source
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- IRDB
- NDL
- CiNii Articles