書誌事項
- タイトル別名
-
- Measurement of Standard Deviation for Threshold Voltage Using Parallel-Connected MOSFETs
- ヘイレツ セツゾク MOSFET オ モチイタ シキイチ デンアツ ヒョウジュ
この論文をさがす
説明
大量の同一構造MOSFETを並列接続したテスト回路を用いて,しきい値電圧の標準偏差を簡単に測定する方法を提案している.このテスト回路を一つのMOSFETとみなし,そのドレーン電流とゲート電圧の関係からしきい値電圧を抽出すると,その値は同回路に含まれるすべてのMOSFETのしきい値電圧の平均値よりも標準偏差に関係した量だけ異なる値を示す.このことを利用すると,MOSFETのしきい値電圧標準偏差を簡単に測定することができる.本論文はその測定原理,単体MOSFETを用いたその実験的確認,そして精度に関する議論を述べている.
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用
-
電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用 J79-C2 (11), 691-697, 1996-11-25
電子情報通信学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1050015111530104832
-
- NII論文ID
- 110003245388
- 110003314865
-
- NII書誌ID
- AN10071294
-
- ISSN
- 09151907
-
- NDL書誌ID
- 4087176
-
- 本文言語コード
- ja
-
- 資料種別
- journal article
-
- データソース種別
-
- IRDB
- NDLサーチ
- CiNii Articles
