PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF In_xGa_<1-x>N ALLOY FILMS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

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  • MOCVD成長In_xGa_<1-x>N混晶薄膜のフォトルミネッセンス特性
  • MOCVD セイチョウ InxGa1xN コンショウ ハクマク ノ フォトルミネッセンス トクセイ

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MOCVD法により,GaNバッファー層/サファイア基板上に成長させたアンドープIn_xGa_<1-x>NとSiドープ In_xGa_<1-x>N (x=0.08)混晶薄膜を用いてフォトルミネッセンス測定を行った。低温において,アンドープInGaNでは～384nm,Siドープ InGaNでは～386nmに強い単一の発光帯が観測された。フォトルミネッセンスの温度依存性の測定により,これらの発光帯は少なくとも2種類の発光成分から構成されていることが分かった。さらに,アンドープ,SiドープInGaN両試料ともに,主ピークの低エネルギー側から表面モードの誘導放出光が観測された。励起パワー密度依存性の測定結果と合わせて,窒化物三元混晶系特有の発光機構について考察する。

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