書誌事項
- タイトル別名
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- TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM HIGH-QUALITY ZnS EPITAXIAL FILMS
- コウヒンシツ ZnS エピタキシャル ハクマク ニオケル レイキシ ハッコウ ノ オンド イゾンセイ
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抄録
減圧有機金属化学気相成長(MOCVD)法により,GaAs (100)面基板上へZnSへテロエピタキシャル薄膜の成長を行った。作製されたZnSエピタキシャル薄膜の4.2kにおけるフォトルミネッセンススペクトルはZnS特有のSA発光と呼ばれる深い準位からの発光が抑えられ,自由励起子の輻射再結合が支配的であった。この自由励起子発光は室温(300k)においても観測された。自由励起子発光における線幅の温度依存性は,励起子-LOフォノン散乱および励起子-音響フォノン散乱を考慮することにより解析された。
収録刊行物
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- 山口大学工学部研究報告
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山口大学工学部研究報告 47 (2), 369-374, 1997-03
山口大学工学部
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1050282812428772480
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- NII論文ID
- 110000217024
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- NII書誌ID
- AN00244228
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- ISSN
- 03727661
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- NDL書誌ID
- 4148226
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- departmental bulletin paper
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- データソース種別
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- IRDB
- NDL
- CiNii Articles